
功率半导体如何选择?MOSFET、IGBT、SiC与GaN的应用差异
MOSFET、IGBT、SiC和GaN分别适合不同的电压、频率和功率场景。本文介绍主要功率半导体的工作特点、典型应用和选型时需要关注的关键参数。
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| 型号 | 品牌 | 数量 | D/C | 备注 | 更新 | RFQ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STM32F103C8T6 | ST | 521 | 23+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| ICM-42688-P | TDK InvenSense | 1,202 | 23+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| W25Q128JVSIQ | WINBOND | 1,532 | 21+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| MT41K256M16TW-107:P | Micron | 547 | 21+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| STM32F407VET6 | ST | 1,744 | 23+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| TPS5430DDAR | TI | 1,132 | 23+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| KLM8G1GETF-B041 | SAMSUNG | 1,813 | 23+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |
| STM32F103RCT6 | ST | 726 | 23+ | In stock | 2026年8月12日 | RFQ |

MOSFET、IGBT、SiC和GaN分别适合不同的电压、频率和功率场景。本文介绍主要功率半导体的工作特点、典型应用和选型时需要关注的关键参数。
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